一旦电子消费市场迅速发展，IGBT（绝缘门两极晶体管）已成为现代家用电器中必不可少的基本设备。凭借其过渡的巨大特性，低传导损失和出色的热管理能力，IGBT技术继续促进家用电器的能源效率。由Anshi半导体推出的650 V G3 IGBT平台产品通过优化性能和提高可靠性，为有效和节省家用设备的能源开发提供了关键解决方案。本文指出：本文将重点介绍家庭设备应用的三种基本情况 - 拖动，PFC（功率因子校正）电路和感应加热，以及ANSHI半导体650 V G3 IGBT平台的研究技术优势，以及其在家庭用具领域中应用的实际价值。 1。电动机阻力1.1电动机拖动应用在家庭电器中引言电动机阻力技术在家用电器应用中起重要作用。通过准确控制电动机，它将实现高效，明智和节能。它不仅负责驾驶设备，而且还涉及良好的能量转换，从而提高整体性能。在家用电器中，电摩托车将电能转换为机械能，以实现各种功能。例如，向洗衣机的电动机驱动器调节电动机的速度和扭矩以适应不同的洗涤模式，从而改善了清洁和减少Thenoise的效果。通过有效的能源转换机制，洗衣机可以更快地完成洗涤任务，同时减少水和电力消耗。在空调中，转换器电动机明智地调节了压缩机速度，即根据内部温度的变化来使冷却和加热过程更高。在真空清洁剂中，电动机可实现准确的吸力调整USMENT，使清洁过程既高效又安静。此外，电机拖动系统可以提高能源利用效率。例如，在某些电动工具中，可以回收制动过程中产生的机械能，并将其转换为电能以与其他设备一起使用。通过这些应用，电动机不仅可以提高家用电器的性能和经验，而且还促进了警告能量和减少排放的目的，从而使家庭生活更加方便，舒适。图1：带有电动机阻力的家用电器的家用电器中的摩托车，最常见的拓扑是三相全桥拓扑。三相全桥拓扑是一种用于驱动三相交替电动机（例如异步电动机，永久同步电动机等）的电路调整。它由六个设备传输（通常是MOSFET或IGBT）组成，与三相的三个绕组相对应发动机。使用三相全彩拓扑的基本原理是通过控制每个阶段的状态来控制旋转和运动速度的方向。特别是：▸每个相机旋转与两个传输设备相连以产生特定电路。 ▸通过交替执行不同的开关，可以形成旋转摩托车之间的旋转磁场，从而驱动电动机旋转。 ▸控制系统通过PWM信号控制移动设备的状态，从而调节电动机的速度和扭矩。图2：运动驱动器的图表应用工业和家庭应用，三相全彩的管道的频率通常很低（20kHz）。在这种情况下，开关管的传导损失通常是总损失的主要部分。从图3可以看出，在给定条件下的电动机拖动应用中，IGBT设备损失的最大比例是AOF传导损失，价格为71.6％。低损失IGBT传导的使用可以最大程度地提高系统效率并降低连接温度，这有益于节省能源并降低产品释放和可靠性。图3：IGBT设备损耗应用于1.2 Anshi Anshi Anshi半导体应用程序性能650 V G3 IGBT在运动拖动ANSHI半导体的650 V G3 M系列中速IGBT管中具有低传导损失和优化的关闭损耗，哪些运动拖动。同时，175度和较小的热电阻的工作温度连接将确保在操作过程中的连接温度边缘。严格的可靠性标准（例如HV-H3TRB）将确保设备中极端情况的可靠操作。较低的VCESAT和VF以NGW50T65M3DFP中速管为例。 VCESAT和VF低于竞争对手可以帮助减少电动机拖动应用的损失，从而确保更高的系统效率和降低的工作温度，而HOELPS节省能源并降低产品发行和可靠性。表1：650 V G3 IGBT单管产品系列TO247-3L包装表2：650 V G3 IGBT单管产品系列D2PAK TO220FP包装图4：VCESAT - NGW50T65M3DFP V.S.竞争图5：VF—— NGW50T65M3DFP V.S.在400 V电动机阻力系统测试中，有能力的高效率和低温升高，NGW40T65M3DFP中速管用于将阻力阻力应用程序的性能与竞争对手进行比较。在图6中，可以遵循在不同的输出波下，NGW40T65M3DFP在不同阶段具有更好的热性能。在图7的系统效率图的图中，我们可以看到，与竞争对手相比，NGW40T65M3DFP的面积较大，在各种速度和扭矩下效率很高。图6：电动机系统中三相IGBT的温度温度图7：电动机系统的电动机效率图图8：PFC电路位置在电路2中。PFC2.1 PFC应用于家用电器PFC（功率因数校正）电路的介绍是电源的非常重要的作用。在提高能源效率和环境保护要求时，家用电器需要越来越关注优化功率因数以减少功率损失并提高电力使用效率。功率因数是确定DE - 电设备的能源效率并指示有效结果的重要指标。速率（实际上用来完成工作的功率）与明显的功率（电源系统的总功率）之间的比率。增加功率因子可以减少电力损失，提高功耗效率，并减轻电网的负担。 PFC电路具有不同的拓扑实现形式，例如单相CCM Boost PFC，2通道或3通道交织在一起的CCM PFC，Totem Post PFC，交织的Totem Popo PFC等。这些拓扑结构具有他们的认可RIATE功率范围。例如，在家庭空调中获得的户外空调的获取量小于5 kW，单相CCM提升PFC和2频道与CCM PFC联系很普遍，并且传递频率通常超过30 kHz。建议使用ANSHI半导体H系列650V IGBT。 2.2 ANSHI半导体应用程序性能650 V G3 IGBT在PFC上评估PFC上650 V G3 H系列IGBT的性能，NGW40T65H3DHP被用作内部PFC板上5 kW上5 kW的竞争者比较和测试竞争者的示例。图9显示了交错的PFC的拓扑回路。表3和表4分别显示竞争对手的信息和测试条件。其中，C的竞争对手是一个中速IGBT管，用作对照组。 E竞争产品是反向IGBT指南。图9：转换为低的PFC拓扑的电压超过igbt时，短期电压在brot处发生了短期电压。由于存在电动循环障碍，电源开关的H端。较低的电压越低，电压安全幅度将较大，这将降低系统故障率并提高稳定性。 In a 400 V system, if the voltage blocking of 85% (here the voltage blocking is 650 V) is defined as the margin safety border, then the voltage overting of the NGW40T65H3dhp is far below it and slightly higher than the entire -speed of the competitor C. Usually those who are converted, transfer Electric devices such as IgBT and MOSFET are key to achieving high performance and that -optimize 表现。但是，快速开关还带来了电磁干扰（EMI）和膝盖的问题，以注意设计和应用。 ANSHI半导体650 V G3 IGBT具有良好的EMI性能，它为设计师提供了直接替换开关管而无需重新设计EMI设计的可能性。图11显示了N的DV/DT性能（电压变化）GW40T65H3DHP与其他竞争对手相比。较低的DV/DT代表更好的EMI性能。可以看出，NGW40T65H3DHP具有最佳的EMI性能，并且DV/DT甚至比C竞争对手略低。图11：@full负载的DV/DT的比较@tamb = 55℃图12平衡系统的效率显示了NGW40T65H3DHP系统效率和其他竞争对手的比较，在55℃的周围温度下。由于集成电压超冲和EMI性能，其系统效率的性能是Partyang平衡。竞争对手D和竞争对手E具有最高的系统效率，但电压过时和EMI性能也更高。图12：效率-vin @ tamb = 55℃the the Thermal性能的热性能，以比较使用PLECS软件复制更公平的连接，测试电路和测试条件。并建立功率D的热模型evices。热模型包括数据丢失，传导损耗数据和热抵抗网络数据的传输。其中，转移损失数据是从波到实际试验的。行为丧失和热电阻的数据网络源自规格。图13显示了获得传输损失数据表的过程。图14显示了模拟的相关巨人。图13：绘图开关损耗数据表图14：PSPCS PFC仿真波形（也是客户的常用模型）中具有高效率系统的电子竞争产品以进行损失和比较NGW40T65H3DHP，并且结果显示了与NGW40T65HP的NGW40T65H3DHP。但是，就平均连接温度而言，NGW40T65H3DHP的优势为9.8℃，就最高连接温度而言，它的优势为18.5℃。它标志着较低的静态热电阻和更好的动态热响应s。表5：PLECS中的竞争产品E和NGW40T65H3DHP PFC模拟比较@tamb = 25℃3。诱导加热3.1在家庭用具诱导暖气中的诱导加热是一种基于电磁诱导原理，这是一种基于电气磁性的原理，这可以通过开发Eddy Cournestors Incoventors Indydy Cournents来实现快速的热量。近年来，感应技术已逐渐用于家用电器领域，尤其是在厨房用具中，例如感应炊具，米饭炊具，一些烤箱等。如果将电导率材料放置在磁场中，则在材料内形成涡流，从而形成热量。诱导线圈通常以拓扑结构的谐振电感器的形式存在。如图15所示，显示了半根据诱导的加热拓扑拓扑。感应线圈和两个共振电容器bumubuor a re reSONANT电路和两个开关管形成半桥驱动器谐振电路。可以通过调整开关管开关频率来调整功率输出功率。图15：半机诱导加热拓扑结构3.2 ANSHI半导体650 V G3IGBT用于诱导加热。失去低表现的关闭被用来产生加热模拟电路并为其设置一些模拟参数（从客户）的半色诱导，如表4所示。以及失去关机。这为ANSHI半导体650 V G3 IGBT应用程序创造了优势，因为将其关闭短缺要维持在较低的水平上。如图17所示，在175°连接的温度条件下，NGW50T65HH3DFP关闭损失低于竞争对手Comp.1〜Comp.3。 Figure 16: Plecs Induction Heating Waveform Diagram 17: The low loss and junction of the double -Pulse test eoff - rg @50a @175 ℃ is shown in Fig. 18. Losses at various movements of the Moving NGW50T65H3DFP, comp.1 and comp.3 to the simulation (Comp2. The thermal resistance curved data is not provided, so not included in the thermal resistance curved. simulation).可以看出，即使NGW50T65H3DFP高速管在传导损失方面的竞争对手差异很小，但由于Mahusis造成过渡损失，总损失仍然处于最低水平。而且由于其较低的热电阻，模拟连接温度也是最低的，如图19。图18：PLECS感应加热，PowerLoss -FSW @TA = 50℃图19：PLECS感应加热，TJ -FSW -FSW @TA = 50 l将提高家庭用具的优势和效率的优势性能，E效率的优势性能。小事。在三个主要区域，包括电动机拖动，PFC（功率因子校正）电路和感应加热，650 V G3 IGBT显示了减少损失，优化热管理和改善电磁破坏（EMI）的剩余好处。通过高性能的合理设计和集成，这种IGBT不仅提高了系统的整体效率，而且还确保了运行中的稳定性和耐用性。严格的瘀伤带还可以保证在各种工作条件下可靠的操作，它是现有设计的绝佳选择，也是家庭设备行业新设计的理想选择。在这些属性中，Anshi半导体的650 V G3 IGBT使消费者家用电器能够促进明智，节省能源和友好的现代家庭生活，并在未来的市场中展示了其广泛的前景。
